SJT 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
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ID： |
BDC369D619364EC6922F30B805BAD4C6 |
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文件大小(MB)： |
1.66 |
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页数： |
23 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国国家标准,红外探测材料中半导体光电材料,和热释电材料常用名词术语,UDC 621.315. 592,:001.4,GB 1 1 294- 89,降为 SJ/T 11067-96,Commonly used terms for semiconductor photoelectric materials,and pyroelectricmaterials in infrared detecting materials,本标准规定了红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词的统一名称,并对其定义给,以说明,同时对部分名词术语提出标准的符号,1名词术语词条及符号,1.1半导体光电材料专用名词术语及其标准符号列于表L,表1,序号名称,2.1,2 2,2丒3,2.4,2.5,2.6,2.7,2 8,2.9,2. 10,2. 11,2 12,2. 13,2. 14,2 15,禁带宽度,禁带宽度温度系数,态密度,杂质能级,杂质电离能,费密能量,费密能级,电子有效质量,空穴有效质量,迁移率,迁移率比,空穴迁移率比,缺陷半导体,补偿度,补偿半导体,本征载流子浓度,多数载流子,少数载施子,导电类型,符号,2 0,S,P,E,ム,mせ 号7n,加h丒イ〃 」,电子屮丒n,空穴甲i，ル,b,b\,c,、或p,中华人民共和国机械电子工业部1 9 8 9 -1 0 - 0 9批准1 990-01 - 01 实施,GB 11294 — 8 9,续表1,序号名称符号,2 16 非平衡载血子浓度,电子:An,空穴:Ap,2 17,/ 18,2. 19,2 20,21,2 22,2,21,2 2S,26,2 27,2. 28,? 29,? 30,ノ却,9,9,2 35,J 3b,ん3b,非平衡载流子寿命,辐射复合,辐射寿命,俄歇复合,俄歇寿命,外光电效应,内光电效应,本征吸收,本征吸收长夜限,杂质吸收,杂质吸收长枝限,伯斯坦-莫斯效应,量ゴ效率,光电导,本征光电导,杂质光电导,光生伏持效应,光磁电效应,霍耳效应,ナ耳系数,霍耳效应弱磁场条件,崔耳效应强磁场条件,霍耳系数温度将性,备耳迁移率,儲掺汞,错掺金,硫化铅,硒化铅,睇化锢,碑化锢,确镉汞、締镉汞晶体组分ス值,俺锡铅、碓锡铅晶体组分ズ值,*,电子:ら,空穴:リ,ワ,協,Ah,Ge * Hg,Ge : Au,PbS,PbSe,InSb,InA%,HgCdTe 或 HCT よ,PbSnTe 或 PSTe た,2,GB 1 1 294 — 89,续表1,序号名称符号,2.39 导电类型热探针判定法,2.40 标准霍耳样品,2.41 标准霍耳测量法,2.42 范得堡法,2.43,2.44,2.45,2.46,2< 47,2.48,2丒49,锭条霍耳测量法,锦化锢晶体中杂质分布扩展电阻测量法,稀镉汞晶体组分X值密度测量法,确镉汞晶体组分の值X射线荧光光谱测量法,破镉汞晶体组分オ值电子探针测量法,磁镉汞晶体组分片值电解液ー电反射光谱测量法,确锡铅晶体组分ズ值晶格常数测量法,1.2热释电材料专用名词术语及其标准符号列于表2：,表2,序号名 称,3J,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6,3.7,3.8,3.9,极化,极化强度,IItI,自发极化,自发极化强度,介电损耗,损耗角正切,热释电效应,热释电体,热释电系数,铁电性,铁电体,铁电相,顺电相,铁电居里温度,电滞回线,饱和极化强度,剩余极化强度,矫顽电场强度,退极化,符号,r,p、,tan6 或 1gS,P,7；,E{,3. 10,GB 1 1294— 89,续表2,序号名 称,3. 11,3. 12,3.13,3. 14,3.15,3. 16,3. 17,三甘氨酸硫酸盐,TGS族,留酸锂,锯酸锂,锯酸锢钿,极化处理,介电常数电容测量法,损耗角正切电学测量法,铁电居里温度介电常数峰值测量法,热释电系数电荷积分测量法,符号,TGS,LT,LN,SBN,1.3半导体光电材料和热释电材料通用名词术语及其标准符号列于表3：,表3,序号名 称符号,1. 1,L 2,L 3,h I,L 6,h 7,L 8,h 9,b 10,L 11,1- 12,h 13,固溶体,固溶体合金系,應一子立,固液相线分离宽度,固液同成分点,化学计量比,介电常数张量,介电常数,吸收系数a,吸收光谱,位错,位错密度,小晶面,小晶面效应,原生晶体,晶体的原生态,晶体热处理,晶体的定向,2半导体光电材料专用名词术语定义及说明,2.1禁带宽度energy gap,固体中电子两相邻允许基本能带相隔的能量范围称为禁带宽度,亦称为带隙(band gap)。常用符,サ伫或ス表示,单位为eV,GB 1 1 294 — 89,半导体材料通常所提的禁带宽度是指价带顶到导带底的间隔值,2.2 禁带宽度温度系数linear temperature coefficient of energy gap,材料的禁带宽度￡g和绝对温度T有如下关系:,ム= 4(0)一尸ア+ . ( 1 ),式中:Eg(0)——绝对零度时的禁带宽度;,B——禁带宽度温度系数,表示材料的禁带宽度随温度升高呈线性减少(或增加)的速,率,eV/K,2. 3 态密度 density of states,晶体单位体积中单位能量范围内单电子状态的数冃称为晶体的态密度，常用符号0表示ワ其数学,表达式为:,P =,rAN(E),. △笈(2 ),式中:ANGE；)是能量E附近能量;△￡:范围内所含的单电子状态的数目,态密度的单位为eV/cn?,杂质能级、杂质电离能 impurity level Jmp……
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